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MOS管

從符號上來(lái)看，MOS管的D、G、S三個(gè)極分別是漏極、柵極和源極，它利用電壓來(lái)決定漏極與源極的通斷，是一種電壓控制型元件。如果給柵極一個(gè)電壓，漏極和源極就會(huì )互通，但當柵極電壓為零時(shí)，漏極與源極就會(huì )截止。此外，MOS管的頻率可以達到千赫茲到兆赫茲。在大電壓的情況下，內阻高只能降低功率，MOS管常用在頻率高，電壓要求低的電路中，如開(kāi)關(guān)電源、車(chē)載充電機等。

三極管

IGBT

IGBT是MOS管和三極管的綜合體，也是電壓控制型半導體。它是通過(guò)電壓控制集電極與發(fā)射極的通斷頻率。IGBT無(wú)法做到MOS管的超高頻率，但在大電壓下內阻不變輸出功率大，新能源汽車(chē)中電機控制器，空調壓縮機內部用的就是IGBT半導體。

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