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結型場(chǎng)效應管的結構

       結型場(chǎng)效應管是三只引腳的半導體器件，它有三個(gè)極，即柵極G、漏極 D和源極S。結型場(chǎng)效應管不需要偏置電流，只有電壓控制。當結型場(chǎng)效應管的柵極G和源極S之間沒(méi)有電壓差時(shí)，它是導通的。但如果這兩極間有電壓差，就會(huì )對電流產(chǎn)生更大的阻礙，因此結型場(chǎng)效應管屬于耗損器件。

       結型場(chǎng)效應管有N溝道和P溝道兩種結構，對于N溝道結型場(chǎng)效應管，當一個(gè)負電壓加在柵極時(shí)，流經(jīng)漏極到源極的電流就會(huì )減小;對于P溝道結型場(chǎng)效應管，加在柵極的正電壓會(huì )使它從源極到漏極的電流減小。圖11-2所示為結型場(chǎng)效應管的結構圖及電路圖形符號。

在一塊N型(或P型)半導體棒兩側各做一個(gè)P型區(或N型區)，就形成兩個(gè) PN結。把兩個(gè)P區(或N區)并聯(lián)在一起，引出一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極 G)，在N型(或P型)半導體棒的兩端各引出一個(gè)電極，分別稱(chēng)為源極(S)和漏極(D)。夾在兩個(gè)PN結中間的N區(或P區)是電流的通道，稱(chēng)為溝道。這種結構的管子稱(chēng)為N溝道(或P溝道)結型場(chǎng)效應管。

深圳世昌隆電子有限公司主要代理捷捷微品牌功率器件，產(chǎn)品主要包括：車(chē)規MOSFET/車(chē)規TVS管/高中低壓MOSFET/可控硅/IGBT/光耦/各類(lèi)二極管/整流橋;。